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ZZSO与PIPS半导体及中子探测器

更新时间:2021-03-10

简要描述:

ZZSO与PIPS半导体及中子探测器具有热中子探测效率高、快慢中子响应、伽马甄别能力强、时间响应快、输出幅度大、噪声低等优点,各种规格的ZZSO探测器可用于中子个人剂量计、中子报警仪、中子巡测仪、中子当量剂量仪等核仪器仪表。

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                              ZZSO与PIPS半导体及中子探测器
 

一、PIPS半导体探测器
 
PIPS半导体探测器外观图
 
AB系列的PIPS探测器测量226Ra-α源能谱
(型号:SP-D20-R14,灵敏直径20mm,真空避光下测量,50V偏压,jia能量分辨率0.40%)
 
一、 ZZSO与PIPS半导体及中子探测器系列产品简介
   采用钝化、离子注入与平面光刻等多种先进半导体工艺技术相结合,经过攻克钝化保护、离子注入、低漏电流、大面积、高能量分辨率、环境光下使用等难题后,成功开发出用于α和β粒子的能谱和计数测量的高性能PIPS探测器。
 
二、 产品特点
1) 超薄死层(入射窗),表面钝化处理,稳定性好;离子注入结,坚固可靠;
2) 漏电流低,噪声低,几何探测效率高,β探测效率高;
3) 可在真空环境下使用中,AB系列探测器的α能量分辨率高;
4) CAM系统探测器表面可冲洗、可擦拭。特殊定制可经350℃高温烘烤。
 技术指标:
灵敏直径20mm,真空避光下测量,50V偏压,you能量分辨率0.40%

二、SiC半导体探测器
 
图1. SiC半导体探测器外形图
 
图2. SiC探测器测量241Am-α粒子能谱
(型号:SiC-CB10-20P,灵敏面积100mm2,真空闭光下测量,偏压50V,能量分辨率0.95%)
一、 ZZSO与PIPS半导体及中子探测器系列一产品简介
SiC探测器在抗高温、抗辐射以及耐高击穿电压等方面的性能非常优越,SiC探测器可用于α、β、γ/X、n核辐射测量,广泛应用于、核能、电子、航天等领域。
二、 产品特点
1) α能量分辨率高(≤1%@5.48MeV),极低漏电流(≤10nA/cm2)
2) 耐高温(烘烤温度≤350℃)耐辐照(快中子≥1E14/cm2)

 

三、ZZSO中子探测器
 
 图1.  ZZSO中子探测器n-γ响应能谱
 ZZSO与PIPS半导体及中子探测器系列一产品简介
ZZSO中子探测器具有热中子探测效率高、快慢中子响应、伽马甄别能力强、时间响应快、输出幅度大、噪声低等优点,各种规格的ZZSO探测器可用于中子个人剂量计、中子报警仪、中子巡测仪、中子当量剂量仪等核仪器仪表。
 
产品特点
1) 热中子探测效率高,快慢中子同时测量,中子伽马同时测量
2) 灵敏度高,时间响应,中子-伽马串扰率低
3) 长期稳可靠性,集成度高,功耗低

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