ZZSO与PIPS半导体及中子探测器

                              ZZSO与PIPS半导体及中子探测器
 

一、PIPS半导体探测器
 
PIPS半导体探测器外观图
 
AB系列的PIPS探测器测量226Ra-α源能谱
（型号：SP-D20-R14，灵敏直径20mm，真空避光下测量，50V偏压，jia能量分辨率0.40%）
 
一、 ZZSO与PIPS半导体及中子探测器系列产品简介
   采用钝化、离子注入与平面光刻等多种半导体工艺技术相结合，经过攻克钝化保护、离子注入、低漏电流、大面积、高能量分辨率、环境光下使用等难题后，成功开发出用于α和β粒子的能谱和计数测量的高性能PIPS探测器。
 
二、 产品特点
1) 超薄死层（入射窗），表面钝化处理，稳定性好；离子注入结，坚固可靠；
2) 漏电流低，噪声低，几何探测效率高，β探测效率高；
3) 可在真空环境下使用中，AB系列探测器的α能量分辨率高；
4) CAM系统探测器表面可冲洗、可擦拭。特殊定制可经350℃高温烘烤。
 技术指标：
灵敏直径20mm，真空避光下测量，50V偏压，you能量分辨率0.40%

二、SiC半导体探测器
 
图1. SiC半导体探测器外形图
 
图2. SiC探测器测量241Am-α粒子能谱
（型号：SiC-CB10-20P，灵敏面积100mm2，真空闭光下测量，偏压50V，能量分辨率0.95%）
一、 ZZSO与PIPS半导体及中子探测器系列一产品简介
SiC探测器在抗高温、抗辐射以及耐高击穿电压等方面的性能非常优越，SiC探测器可用于α、β、γ/X、n核辐射测量，广泛应用于、核能、电子、航天等领域。
二、 产品特点
1) α能量分辨率高（≤1%@5.48MeV），极低漏电流（≤10nA/cm2）
2) 耐高温（烘烤温度≤350℃）耐辐照（快中子≥1E14/cm2）
 

三、ZZSO中子探测器
 
 图1.  ZZSO中子探测器n-γ响应能谱
 ZZSO与PIPS半导体及中子探测器系列一产品简介
ZZSO中子探测器具有热中子探测效率高、快慢中子响应、伽马甄别能力强、时间响应快、输出幅度大、噪声低等优点，各种规格的ZZSO探测器可用于中子个人剂量计、中子报警仪、中子巡测仪、中子当量剂量仪等核仪器仪表。
 
产品特点
1) 热中子探测效率高，快慢中子同时测量，中子伽马同时测量
2) 灵敏度高，时间响应，中子-伽马串扰率低
3) 稳可靠性，集成度高，功耗低